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          中國半導體器件型號命名方法
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          半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分意義如下︰
          第一部分︰用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管
          第二部分︰用漢語拼音字母表示半導體器
          半導體件的材料和極性。表示二極管時︰A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型 材料、D-P型 材料。表示三極管時︰A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型 材料、D-NPN型 材料。
          第三部分︰用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
          第四部分︰用數字表示序號
          第五部分︰用漢語拼音字母表示規格號
          例如︰3DG18表示NPN型 材料高頻三極管
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