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          國際電子聯合會半導體型號命名方法
          發布時間︰ 發布人︰
          德國、法國、意大利、、比利時等國家以及、羅馬尼亞、、波蘭等國家,大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成,各部分的符號及意義如下︰
          第一部分︰用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如 、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如、E-器件使用及光電池使用的材料
          第二部分︰用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關混頻二極管、B-變容二極管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放中的、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發光器件、R-小功率晶閘管、S-小、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩壓二極管。
          第三部分︰用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。
          第四部分︰用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E……-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。
          除四個基本部分外,有時還加後綴,以區別特性或進一步分類。常見後綴如下︰
          1.穩壓二極管型號的後綴。其後綴的第一部分是一個字母,表示穩定電壓值的容許誤差範圍,字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其後綴第二部分是數字,表示標稱穩定電壓的整數數值;後綴的第三部分是字母V,代表小數點,字母V之後的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。
          2.整流二極管後綴是數字,表示器件的最大反向峰值耐壓值,單位是伏特。
          3.晶閘管型號的後綴也是數字,通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向中數值較小的那個電壓值。
          如︰BDX51-表示NPN 低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
          五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法
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